eng
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
Выпуск #8/2024
С.С.Коган
Транспортные ВОСП большой пропускной способности. Часть 3. Эволюция технологий для изготовления когерентных ЦСП. Окончание
Транспортные ВОСП большой пропускной способности. Часть 3. Эволюция технологий для изготовления когерентных ЦСП. Окончание
Просмотры: 446
DOI: 10.22184/2070-8963.2024.124.8.68.73
В цикле статей представлены международные отраслевые стандарты для открытых линейных интерфейсов 400G со сменными когерентными оптическими модулями-приемопередатчиками (трансиверами) транспортных волоконно-оптических систем передачи (ВОСП) OTN/DWDM (часть 1), эволюция поколений когерентных цифровых сигнальных процессоров (ЦСП) для высокоскоростных оптических каналов (длин волн) ВОСП (часть 2), а также эволюция технологий для изготовления когерентных ЦСП для ВОСП (часть 3).
Теги: 2nm process bpdn bpdn technologies cfet transistors epitaxy gaa silicon atom silicon processor limit transceiver атом кремния предел кремниевых процессоров технологии gaa техпроцесс 2 нм транзисторы cfet трансивер эпитаксия
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
В цикле статей представлены международные отраслевые стандарты для открытых линейных интерфейсов 400G со сменными когерентными оптическими модулями-приемопередатчиками (трансиверами) транспортных волоконно-оптических систем передачи (ВОСП) OTN/DWDM (часть 1), эволюция поколений когерентных цифровых сигнальных процессоров (ЦСП) для высокоскоростных оптических каналов (длин волн) ВОСП (часть 2), а также эволюция технологий для изготовления когерентных ЦСП для ВОСП (часть 3).
Теги: 2nm process bpdn bpdn technologies cfet transistors epitaxy gaa silicon atom silicon processor limit transceiver атом кремния предел кремниевых процессоров технологии gaa техпроцесс 2 нм транзисторы cfet трансивер эпитаксия
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
