sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по связи
Кааранен Х., Ахтиайнен А., Лаитинен Л.
В.Н. Трещиков, В.Н. Листвин
Другие серии книг:
Мир связи
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир материалов и технологий
Мир электроники
Мир программирования
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "sic"
Электроника НТБ #8/2022
М. Макушин
НЕКОТОРЫЕ ПЕРСПЕКТИВЫ РЫНКА ПРИБОРОВ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
DOI: 10.22184/1992-4178.2022.219.8.30.38 Анализируются состояние и перспективы рынка приборов для силовой электроники, который демонстрирует устойчивые темпы роста. Дается прогноз наращивания мощностей по производству мощных полупроводниковых приборов и модулей на основе GaN и SiC.
Аналитика #5/2013
К. Понкратов
Исследование полупроводниковых материалов методом конфокальной рамановской микроскопии
Компания Renishaw (Великобритания) – мировой лидер в области промышленной метрологии, контроля перемещений, спектроскопии и прецизионной обработки. Конфокальный рамановский микроскоп inVia, выпускаемый компанией, объединяет в себе все новейшие технологии в полном соответствии с девизом компании – Apply Innovation. В статье приводятся примеры использования микроскопа для исследований качества пластин полупроводников.
Первая миля #3/2013
М.Лаврентьев, Д.Гелерман
Новое поколение твердотельных усилителей мощности GаN HEMT в системах спутниковой связи и вещания
Новое поколение твердотельных усилителей мощности для систем спутниковой связи и вещания появилось на рынке благодаря успешному развитию технологии GaN HEMT. Ряд уникальных технических параметров позволяет GaN-транзисторам уверенно вытеснять такие технологии, как ЛБВ и GaAs-транзисторы. В статье рассматриваются вопросы применения нового поколения твердотельных усилителей мощности и перспективы дальнейшего развития этого направления индустрии.
Разработка: студия Green Art